在绝缘栅场效应晶体管中，二氧化硅通常当前用作金属铝栅与半导体之间的绝缘层，其被称为金属氧化物半导体场效应晶体管，或简称为MOSFET或MOS。

MOS管的电路符号1）如何区分G，D和S极？ G极易于区分，每个人都可以一目了然。

无论是P通道还是N通道，两条线的交点都是S极。

无论是P通道还是N通道，单独引线的侧面都是D极。

2）如何区分N和P通道？指向G极的箭头是N通道。

背离G极的箭头是P通道。

3）寄生二极管的N通道，从S极到D极。

P通道，从D极到S极。

如果您认为上述两种方法不容易记住，请教给您一种识别方法：无论是N沟道还是P沟道MOS晶体管，中间基板的箭头方向和寄生二极管的箭头方向始终相同。

上面的图片已经标记了它。

看一看。

MOS管的导通条件为N沟道：当Ug＞ Us时导通。

（简单地认为）当Ug = Us时中断。

P通道：Ug注意，将MOS管用作开关设备时，输入和输出不得反向连接。

反向连接的寄生二极管始终处于导通状态，而MOS本身将失去开关功能。

万用表区分N / P通道。

将万用表设置为“二极管齿轮”。

红色测试引线（+极）连接到D极，黑色测试引线（-极）连接到S极：假设二极管值小于0.7V。

然后我们交换测试导线，黑色测试导线（-极）连接到D极，红色测试导线（+极）连接到S极：假设二极管值高于1.2V。

然后我们可以判断这是PMOS。

如果两个测量结果与我们的假设相反，则可以判断为NMOS。

为了梳理上述区分P和N通道的方法的逻辑，关键是DS极之间的寄生二极管。

换句话说，我们依靠测量该寄生二极管的传导方向来确定P和N通道。

MOS管的内部工作原理是在具有低掺杂浓度的P型半导体硅衬底上。

通过半导体光刻和扩散工艺制造了两个高掺杂浓度的N区，并从金属铝中引出了两个电极作为漏极。

极D和源极S。

然后，在漏极和源极之间的P型半导体表面上覆盖一层薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层膜，然后在该绝缘层上安装铝电极作为栅极G.这构成了一个N沟道增强模式MOS管。

显然，其栅极与其他电极绝缘。

使用与上述相同的方法，在一块具有较低掺杂浓度的N型半导体硅衬底上，通过半导体光刻和扩散工艺制造两个具有高掺杂浓度的P区，并且采用与上述相同的栅极制造工艺。

制成P沟道增强型MOS管。

增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背对背PN结。

当栅极-源极电压VGS = 0时，即使添加了漏极-源极电压VDS，也始终在反向偏置状态下存在PN结，并且漏极和源极之间没有导电通道（无电流流动） ，因此此时的漏极电流ID为0。

此时，如果在栅极和源极之间施加正向电压，即，VGS＞ 0，则在栅极和硅衬底之间的SiO 2绝缘层中将产生指向P型硅衬底的电场。

。

由于氧化物层是绝缘的，所以施加到栅极的电压VGS不能形成电流。

在氧化物层的两侧上形成电容器。

VGS等效于对该电容器充电并形成电场。

随着VGS逐渐增加，在栅极的正电压吸引下，大量电子聚集在电容器的另一侧，并形成了从漏极到源极的N型导电沟道。

当VGS大于管的开启电压VT（通常约为2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。

我们将沟道形成开始时的栅源电压称为导通电压，通常用VT表示。

控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强度，并且可以实现控制漏极电流ID的大小的目的。

这也是MOS t的重要特征